ФОРМУВАННЯ ПОКРИТТІВ СТЕХІОМЕТРИЧНОГО СКЛАДУ ПРИ РЕАКТИВНОМУ МАГНЕТРОННОМУ НАПИЛЕННІ

О.В. Сагалович, О.В. Кононихін, В.В. Попов, С.Ф. Дуднік, В.В. Сагалович

Аннотация


  Проведені дослідження області параметрів реактивного магнетронного нанесення покриттів типу метал — металоїд стехіометричного складу. Вивчені залежності між параметрами розпилення мішені і процесами плазмохімічного утворення на поверхні підкладинки з’єднань метал — металоїд та формування покриттів відповідного складу. Приведені експериментальні дані по напиленню покриттів AlN, Al2O3, TiN, TiO2 стехіометричного складу. Розглянуті особливості реактивного магнетронного напилення для одержання покриттів з наперед заданими властивостями, зокрема, забезпечення належної керованості і стабільності у часі процесів напилення.


Полный текст:

PDF>PDF

Литература


Пархоменко В.Д. Технология плазмохимических производств / [Пархоменко В.Д., Цыбулев П.Н., Краснокутский Ю.И.]. //К.: Вища школа.–1991.

Данилин Б.С. Применение низкотемпературной плазмы для нанесения тонких пленок / Данилин Б.С. // М.: Энергоиздат.–1989.

Чечуро Ю.А. Осаждение пленок TiN магнетронным методом в условиях промышленного применения / [Чечуро Ю.А, Спиридонов М.А, Лавров А.В. и др.]. //Вакуумная техника и технология.–1992.– т.11.–№ 1.–С. 7-12.

Сейдман Л.А. Получение пленок нитрида титана реактивным магнетронным распылением / Сейдман Л.А. //Электронная техника.–1985. — Сер. 2. — вып. 2 (175).– C. 69—75.

Mercs D. Enhanced deposition rate of high quality stoichiometric ceramic compound reactively sputter deposited at low pressure by modulating the discharge current at low frequency / [Mercs D, Lapostolle F, Perry F. e.a.]. //Surface and Coating Technology.– 1999.– V 116 — 119.–P. 916 — 921.

Бушуев Ю. Г. Нанесение пленок методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе [Бушуев Ю. Г., Розинский Д.В., Просвириков В.М. и др.]. //ФиХОМ.– 1992.– № 2.–С. 87—93.

Affinito J. Mechanisms of voltage controlled reactive planar magnetron sputtering of Al in Ar/N2 and Ar/O atmospheres / Affinito J., Parsons R. //J. Vacuum Sci. Technology.– 1984. — v. A2.– № 3. — Р. 1275—1284.

Koski K. Deposition of aluminum oxide thin films by reactive magnetron sputtering / [Koski K, Hakan sson G, Sundgren J.E. e.a.]. //Surface and Coating Technology. — 1999. — V. 116–119.– P. 716–720.

Марей А.В. Зависимость структуры, твердости и износостойкости покрытий Al–N, наносимых магнетронным методом, от параметров технологического процесса / [Марей А.В, Петров Л.М, Лазарев Э.М. и др.]. //Трение и износ.– 1994.– т. 15. — № 5. — С. 794—799.

Марей А.В. Получение покрытий Al–Ті–N способом магнетронного распыления и их свойства / [Марей А.В., Семенов А.П.]. //Трение и износ.– 1994.– т. 15. .–№ 5.–С. 838–842.

Musil J. New results in d.c. reactive magnetron deposition of TiNx films sputtering process / [J. Musil, S. Kadlec, J. Vuskosil, V. Valvoda]. // Thin Solid Films. — 1988. — V. 167.– P. 107-119.

Meng W.J. Temperature dependence of inductively coupled plasma assisted growth of TiN thin films / [Meng W.J, Curtis T.J, Rehn L.E ea]. //Surface and Coating Technology. — 1999. — V. 120–121.– P. 206–212.

Billard A. Influence of the temperature on reactive sputtering process / [Billard A, Mercs D, Perry F. ea]. //Surface and Coating Technology. — 1999. — V. 116–119. — P. 721–726.

Сейдман Л.А. Получение пленок нитрида кремния реактивным распылением на постоянном токе / Сейдман Л.А. //Электронная промышленность.–1984.–вып. 4 (132).–C. 15-20.

Кайсмасов Л.К. и др. Повышение качества износостойких ионно-плазменных покрытий / [Кайс масов Л.К. и др.].//Тяжелое машиностроение. – 1991.– № 12.–С. 17—18.

Вершина А.К. Фотометрические характеристики титановых ионно-плазменных покрытий / Вершина А.К., Пителько А.А. //ФиХОМ.–1991.– № 5. — С. 67—70.

Колесник В.В. Формирование многокомпонентных многослойных жаростойких покрытий на лопатки ГТД с помощью ионного магнетрона / [В.В. Колесник, Н.В. Белан, C.С. Иващенко и др.]. //Физическая инженерия поверхности.—2004.— т. 1.—№ 3—4.—С. 316—318.

Steinmann P.A. Influence of the Deposition Conditions on Radiofrenquency Magnetron Sputtered MoS2 Films / [Pierre A. Steinmann, Tavalidis Spalvins.]. /Lewis Research Centre, Cleveland, Ohio

//NASA Technical Paper 2994.– 1990.–P. 1—7.

Бушуев Ю.Г. Нанесение пленок методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе / [Бушуев Ю.Г. и др.]. //Физика и химия обработки материалов.– 1992. —№ 2.–С. 87—93.

Сейдман Л.А. Реактивное нанесение в вакууме слоев нитрида титана и применение их в системах приборов / Сейдман Л.А. //Обзоры по электронной технике. –1988. — Сер. 2. — вып. 6. — С 1366.

Spassov V. Quarternary-matrix, nanocomposite self-lubricating PVD coatings in the system TiAlCNMoS 2 / [V. Spassov, A Savan, A.R/ Phani ea.]. //Mat. Res. Soc. Symp. Proc.– 2004. —Vol 788 — L.11.29.1.

Плазменная технология в производстве СБИС /Под.ред. Н.Айспрука, Д. Брауна: Пер. с англ. — //М. — Мир. 1987.

Технология тонких пленок /Под ред. Майселла Л., Гленга Р. —Т. 1. //М.: Сов. Радио. — 1977.


Ссылки

  • На текущий момент ссылки отсутствуют.



КОНТАКТЫСОБЫТИЯ ПРАВОВАЯ ИНФОРМАЦИЯ
ул. Кирилловская, 19-21, Киев, 04080, Украина Тел./факс: +3 8 (044) 455-93-92 Е-mail: iiii@ukrniat.com, ukrniat@ukrniat.com 
  • Новый выпуск журнала Технологические системы № 1 2018
  • Размещение журнала в IndexCopernicus
  • Рабочие встречи ГП АНТОНОВ и Азербайджанской стороны

 

Некоммерческое использование материалов сайта technological-systems.com.ua (в том числе цитирование и сокращенное изложение) разрешается при условии размещения прямой ссылки на цитируемый материал или на главную страницу technological-systems.com.ua. Любое коммерческое использование, а также перепечатка материалов возможны только с письменного разрешения редакции.